MgOをドープしたニオブ酸リチウム電気光学Qスイッチ

MgOをドープしたニオブ酸リチウム電気光学Qスイッチ

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販売単位：バッグ/バッグ

パッケージタイプ：カートンパッキング

MgOをドープしたニオブ酸リチウム電気光学Qスイッチは、優れたEOQスイッチおよびポッケルスセルです。 LiNbO3結晶とMgO：LiNbO3結晶は、優れた機械的および物理的特性と優れたE-O特性を備えた低コストの光電材料です。周波数ダブル、光パラメトリック発振器、準位相整合（QPM）デバイス、導波路基板として広く使用されているほか、Qスイッチ（ポッケルスセル）および位相変調器の最も一般的な材料であるLiNbO3ポッケルスセルが非常に適しています。 Er：YAG、Ho：YAG、Tm：YAGパルス固体レーザーシステムのアプリケーション用。


LiNbO3と比較して、MgO：LiNbO3結晶はより高い損傷しきい値を示しており、Qスイッチおよび変調用にARコーティング（波長3000nmまで）されたニオブ酸リチウムおよびMgO：LiNbO3結晶ポッケルスセルを提供しています。ポッケルスセル効果としても知られる線形電気光学効果は、外部電界の影響下での光学媒体の屈折率の変化を表します。直線偏光が結晶の光軸方向に沿って伝搬する場合、電圧が印加されていない限り、その偏光状態は変化しません。電圧が印加されると、光は、一般に楕円形である偏光状態で、MgOをドープしたニオブ酸リチウム電気光学結晶を出ます。